内存涨得比房价还快，背后到底有什么秘密？

龙飞

为什么内存涨得那么快，背后又有什么秘密？
% t5 V* ~" r; E5 h5 V- t, |* Q
/ m6 _" c* @: d9 q+ R& ^& x20 世纪 90 年代，在英特尔 CEO 安迪·格鲁夫（Andy Grove）与微软 CEO 比尔·盖茨（Bill Gates）的领导下，两家公司成立了「Wintel 联盟」，英特尔为微软提供性能强大的处理器，而微软则不断升级 Windows 系统来榨干处理器的性能。当时流行的说法是：

2 R3 @  Q5 J; OWhat Andy gives,Bill takes away.
这就是著名的「安迪-比尔定律」。
" l# |, x, f6 K$ k7 r- Y& j
直到今天，这条定律仍在积极发挥作用：为什么一升级到最新系统，前两年的老 iPhone 就卡到不行？因为新的 iOS 系统需要更强劲的性能支持，而旧款 iPhone 的配置已经完全不够用了。所以，每隔一两年，你就会冒出换新手机、新电脑的念头。

几十年来，「安迪-比尔定律」一直在推动 PC、手机市场的繁荣。
) ~* z0 }# |. W  o
& z( c7 V3 A# \可这跟内存又有什么关系呢？

所谓内存，其实是「存储器」（Memory）的一种，这是利用半导体技术制成的存储数据的电子设备，根据性质不同，主要分为两大类：
) v/ Q5 }, P5 K1 j0 u6 X9 D- ]
# h% U# s7 ^& ?0 r- [5 C8 f易失性存储器（RAM），即内存
$ r4 V# w( o+ w& f! M
0 Q9 x6 B% S& }- R* n非易失性存储器（ROM），即硬盘（包括机械硬盘、固态硬盘、闪存等）
4 i# h% h0 B' ]( p
而目前涨价比较猛的内存主要是指动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，简称 DRAM），属于易失性存储器；此外，固态硬盘（Solid State Drive，简称 SSD）和 NAND 闪存还是手机、电脑成本的大头，属于非易失性存储器。

DRAM 主要用于电脑、手机当中，是与 CPU 直接进行数据交互的存储器，具备读取速度快、随时可读写等特性，经常作为处理系统或程序的临时数据存储媒介。因此，相同条件下，两部其他硬件配置几乎一致的手机或电脑，DRAM 越大，运行速度也就越快。

" b! ?3 @5 d8 `, M. {2 z随着系统和软件的进步，手机、电脑等设备对内存的需求也就越大。

除了手机之外，云服务、人工智能、VR / AR、区块链等技术的兴起，也对计算机的性能提出了更高的要求，这也就变相拉动了对内存的需求。

市场需求的激增，是内存涨价的原因之一。

行业竞争：美韩争霸，垄断全球
4 z8 v# \' A( X* c8 O: D
内存涨价的另外一大原因，与行业现况息息相关。
; H9 H. D5 @3 P- \5 J
根据 IC Insights推出的调查报告，目前全世界的前 10 大半导体厂商中，从事内存和闪存芯片的设计与制造的，主要有 5 家：
( e7 x* E+ ]- l" c! U三星电子
SK 海力士
  F* J7 Q+ ?+ V+ \英特尔
8 c3 u! u, o  A% I- N镁光科技
东芝半导体
& ]$ p+ ]7 u& L; g, D0 S这 5 家公司，基本上可以分为韩国与美国两大阵营。三星、SK 海力士均是韩国厂商，而英特尔、镁光科技则是美国厂商。此外，东芝半导体虽然是日厂，但目前已经被贝恩资本领衔的财团拿下，其背后是苹果、戴尔、SK 海力士等公司，基本上也都是美国和韩国的玩家。
韩国和美国，几乎已经垄断了全球的存储器市场。
# ?) ~$ }6 m, _' l3 l
5 ^% K3 i! |; b7 a$ D7 h$ i/ w$ m三星是全球最大的 DRAM、NAND 闪存、SSD 固态硬盘制造商。
& b  n$ I: W) o* Z
这也是为什么在 Galaxy Note 7 燃损事件之后，三星还能迅速恢复元气。因为 Note7 烧掉的那些钱，早就通过半导体业务赚回来了。
, f: e0 Z) z: s' D2 t
& ?1 y1 y- v' z4 t其实，三星成为存储器行业的霸主，也就是近 10 年的事情，在此之前，存储器行业属于美国和日本。
2 [( `" i7 z7 J& M* \8 m; ^) {
, i( U4 S9 p# p) \. U20 世纪 70 年代，存储器行业主要是美国企业主导，IBM、德州仪器和英特尔是最大的玩家。可到了 80 年代，日本电子产业崛起，日系的东芝、NEC（日本电气）、日立等厂商凭借强大的技术优势超过美国，东芝和 NEC 一度是世界上最大的半导体厂商。

1999 年，日立、NEC 两大日企的半导体部门合并为尔必达内存公司，之后又合并了三菱电机的内存制造部门。此时的日本半导体如日中天，没人想到日本存储器行业会在十年后快速萎缩。

2008 年，全球金融危机爆发，日本是重灾区。当时存储器产量过剩，整个行业陷入疲软期，内存条价格一度跌倒了成本价以下，美国镁光、日本尔必达等公司都陷入赤字。
; {$ I2 H' {5 _8 G9 S5 l2009 年，尔必达陷入困境，日本政府再次伸出援手，注入了 300 亿日元的公共资金，并提供了政府担保的 1000 亿日元的银行融资。然而，尽管有政府注资和政策扶持，但由于支援力度有限，尔必达的经营始终没有明显起色——此时，在韩国政府的全力资助下，三星、现代以及海力士等公司却逃过一劫，迅速崛起。
+ Q' ]- [9 ^! F. C2012 年 1 月，三星电子已经占据了内存市场 41% 的份额，而尔必达的市场份额只有 13.5%。没过多久，尔必达就提交了破产保护的请求，当时尔必达的负债总额已经高达 4810 亿日元，是日本制造业历史上负债最多的企业。
3 e7 B! W( k' S) r2012 年 5 月份，镁光科技以 20 亿美元的价格收购了尔必达，改名为镁光存储器日本。
% Y9 F5 h) l  y2 Z8 n& e4 J4 D" `
东芝半导体的衰落，则与 2015 年爆发的「东芝会计丑闻」有关。受 2008 年金融危机的影响，东芝集团营利能力疲软，为了达到利润目标，东芝高层不惜在账面上造假。2015 年，东芝公司被曝出在过去 7 年内共虚报了 12 亿美元的营收，直接导致东芝集团重组。
无可奈何之下，东芝只好逐个剥离自家最赚钱的业务，包括医疗器械业务、白色家电业务、半导体业务等等。如果东芝半导体业务部门被贝恩资本领衔的财团收购，那么在未来很可能在日本独立上市，可背后的股东不是美国人，就是韩国人。
) u# X% o  H6 g* G9 h# v! ^5 |
) q2 a# q/ R- Q! a在供不应求的当下，无论是美方还是韩方，都不愿意打价格战，各方达成了一种微妙的平衡。
市场调研机构 DRAMeXchange 的研究员吴雅婷指出，目前市场受惠于平均销售单价的上扬与新制程的持续转进，各大厂商直到 2023 年底都没有大量扩产的计划，而第三季度随着各大手机厂商的旗舰产品陆续出货，内存价格将会继续上涨。
1 ?; G: q1 ]; W8 C7 R7 a
; [/ \7 ?2 a0 Q# K8 t! A2024年，内存还会接着涨吗？
7 H- A3 Q5 P/ l3 b% |3 e尽管靠着存储器业务，三星、镁光、海力士等公司赚得盆满钵满，但并不意味着就高枕无忧。

存储器是一个周期性极强的产业，容易受到市场供需情况的影响，缺乏用户粘性。如果不做好万全的准备，很可能一下子就被后来者颠覆——目前，中国正在大力发展存储器业务，虽然与巨头相比仍有差距，但由于有国家政策上的支持，紫光、长鑫、晋华等入局者，个个斗志昂扬、粮草充足。
6 {5 G6 O/ B! }9 s+ p: {因此，无论是三星、SK 海力士，还是英特尔、镁光，都在积极寻求技术上的突破。
) s$ q4 h/ H* Q( ~, f
2 t& g; P" [; I4 D内存方面，海力士、镁光还在寻求制程上的突破，准备从 25nm 跃进到 20nm 以内。为此，镁光和海力士分别在台湾和中国大陆设立新厂，并加大投资。
2 ^# K$ @$ t9 o) h而三星、英特尔等技术更为领先的玩家，则在研究替代 DRAM 的新型内存：
MRAM，磁阻式随机存取内存（Magnetoresistive Random Access Memory），主要玩家是三星和台积电，这种内存使用寿命更长，芯片面积更小，反应速度更快，因此被业内视为最有可能取代 DRAM 的技术
- _! i3 ?( H9 |; C
  a7 J' n4 k5 G: f% _+ yRRAM，可变电阻式内存（Resistive random-access memory），英特尔和镁光共同研发的「3D Xpoint」就属于这种，写入速度比 NAND 闪存快一万倍，比 DRAM 快 10 倍

至于闪存方面，整个产业正在从 2D 平面 NAND 闪存转向 3D 立体 NAND 闪存。
; r4 R$ V2 l' m2 G: l  I
5 ?& a3 x( o$ h' o目前，三星依旧是这方面的领先者，3D-NAND 月产能占比已经达到 40%，而英特尔、镁光紧随其后，至于东芝、西部数据的 3D-NAND 产能，仅占到市场的 10-15%。

从整体上看，未来半年内无论是内存还是闪存，应该都会继续涨价——也就是说，手机、电脑等电子产品，价格还会一路走高。内存到底什么时候才会停止疯涨？或许只能等待下一位搅局者入场。
& g1 R9 J7 P  A1 Z; M$ X